LP3669B和LP3669F的區別

LP3669B和LP3669F是LP3669係列中的兩(liang) 款不同型號的電源芯片，它們(men) 的主要區別在於(yu) 支持的最大輸出功率和內(nei) 置功率三極管的參數。以下是兩(liang) 款芯片的具體(ti) 差異：

功率等級：

LP3669B適用於(yu) 5.0W的應用。
LP3669F適用於(yu) 12.0W的應用。

內(nei) 置功率三極管參數：

LP3669B的C、E極飽和電流（ICESAT）為(wei) 0.4A。
LP3669F的C、E極飽和電流（ICESAT）為(wei) 1.2A。

封裝類型：

LP3669B采用SOP7_150MIL封裝。
LP3669F采用SOP8_150MIL封裝。

引腳數：

LP3669B有7個(ge) 引腳。
LP3669F有8個(ge) 引腳。

LP3669係列電源芯片工作電路圖

LP3669係列是高性能的雙繞組原邊反饋控製芯片，廣泛應用於(yu) 隔離型適配器和充電器中。以下是LP3669係列電源芯片的基本工作電路圖和工作原理的簡要說明：

啟動：
        芯片僅(jin) 需1uA的啟動電流，係統上電後啟動電阻對Vcc的電容進行充電，當Vcc電壓達到芯片開啟閾值時，芯片內(nei) 部控製電路開始工作。

恒流控製：

    芯片逐周期檢測電感的峰值電流，CS端連接到內(nei) 部的峰值電流比較器的輸入端，與(yu) 內(nei) 部閾值電壓進行比較，當CS外部電壓達到內(nei) 部檢測閾值時，功率管關(guan) 斷。

恒壓控製：

    LP3669通過分壓電阻采樣反激電壓，電阻分壓後得到的電壓與(yu) 內(nei) 部基準比較形成閉環後，來恒定輸出電壓Vo。

保護功能：

    LP3669集成了多種保護功能，包括VCC鉗位/欠壓保護，輸出短路保護，過溫保護等。

工作頻率：

    LP3669工作於(yu) 斷續模式，係統推薦最大頻率為(wei) 60KHz。

輸出線補償(chang) ：

    LP3669采用了特有的輸出線損補償(chang) 技術，可以有效的補償(chang) 輸出電流在線上的損耗壓降。

EMI優(you) 化：

    LP3669采用了特有的抖頻技術，可以在不增加係統成本的情況下，優(you) 化EMI特性。

以上是LP3669電源芯片的基本工作電路圖和工作原理的概述。具體(ti) 的電路設計和應用需要根據實際的應用需求和設計要求來確定。