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LP35118L是什麽芯片?LP35118L(技術規格特點 內部框架圖)
類別:產品新聞 發布時間:2025-01-14 10:32:05 瀏覽人數:10616

在電子技術的浩瀚星河中,芯片猶如一顆顆璀璨的星辰,各自散發著獨特的光芒。今天,我們(men) 要聚焦的這顆“星”,便是LP35118L——一款在同步整流領域大放異彩的高性能副邊同步整流驅動芯片。

芯片概述


LP35118L由深圳市芯茂微電子有限公司精心打造,是一款專(zhuan) 為(wei) AC-DC同步整流應用而生的芯片。它廣泛適用於(yu) 正激係統和反激係統,能夠支持DCM(不連續導通模式)和CCM(連續導通模式)等多種工作模式,堪稱同步整流應用中的“多麵手”。



技術規格與特點


(一)高耐壓性能


LP35118L具備200V的高耐壓能力,這一特性使其在麵對高電壓輸入時也能穩定運行,極大地拓寬了其應用範圍,無論是工業(ye) 電源、通信電源還是消費類電子產(chan) 品的適配器,都能輕鬆應對。

(二)專利的整流管開通判定技術


在同步整流過程中,激磁振蕩往往會(hui) 引發驅動芯片的誤開通,導致係統效率降低甚至出現故障。LP35118L憑借其專(zhuan) 利的整流管開通判定技術,精準地檢測漏極D與(yu) 地GND之間的下降電壓閾值和下降速率,從(cong) 而準確判斷同步整流管的開啟時機,有效避免了因激磁振蕩引起的誤開通,保障了係統的穩定性和可靠性。

(三)極快的關斷速度


在CCM工作條件下,關(guan) 斷延遲是影響係統效率的關(guan) 鍵因素之一。LP35118L擁有極快的關(guan) 斷速度,能夠大幅降低因關(guan) 斷延遲造成的效率損失,確保在高頻率工作時也能保持高效的能量轉換,這對於(yu) 追求高功率密度和高效率的電源設計來說至關(guan) 重要。

(四)集成VCC供電技術


傳(chuan) 統同步整流芯片往往需要額外的輔助繞組來為(wei) 芯片供電,這不僅(jin) 增加了設計的複雜性,還可能因輔助繞組的電壓波動影響芯片的穩定性。LP35118L巧妙地集成了VCC供電技術,在不需要輔助繞組供電的情況下,也能保證芯片VCC不會(hui) 欠壓,簡化了電路設計,提高了係統的穩定性和可靠性。

(五)豐富的保護功能


LP35118L還集成了VCC欠壓保護、過壓鉗位以及驅動腳去幹擾等多種保護功能,全方位守護芯片及整個(ge) 係統的安全運行。這些保護功能如同一道道堅固的防線,能夠在各種異常情況下及時響應,防止芯片損壞,延長係統的使用壽命。

內部框架圖解析


從(cong) LP35118L的內(nei) 部框架圖中,我們(men) 可以清晰地看到其精妙的架構設計。



(一)啟動電路


當係統上電後,內(nei) 置MOS的體(ti) 二極管開始對輸出電容充電,輸出電壓逐漸上升。此時,D腳連接的輸出電壓通過芯片內(nei) 部的供電電路,為(wei) VCC電容充電。當VCC電壓達到開啟閾值時,芯片內(nei) 部控製電路正式啟動,MOS管開始正常的導通和關(guan) 斷操作。在MOS管正常導通後,電流不再從(cong) 體(ti) 二極管流過,而是從(cong) MOS的溝道流過,實現了高效的能量傳(chuan) 輸。

(二)同步整流管導通控製


在DCM工作模式下,電感的激磁作用會(hui) 在初級芯片關(guan) 斷時產(chan) 生振蕩。為(wei) 了防止誤檢測振蕩信號導致同步整流管異常開啟,LP35118L采用了專(zhuan) 利的整流管開通技術。當初級芯片關(guan) 斷時,次級LP35118L的漏極D與(yu) GND之間的電壓迅速下降。芯片通過檢測D和GND之間的下降電壓閾值和下降速率,準確判斷同步整流管的開啟時機。具體(ti) 的開通條件為(wei) :當滿足TOFF>TOFFMIN & dVDS/dt> K &dt>30ns& VDS<VON(-200mV)時,且延時150ns後,同步開通。

(三)同步整流管關斷控製


為(wei) 了避免同步整流管導通時因激磁振蕩幅度較大導致誤檢測關(guan) 斷信號,使同步整流管異常關(guan) 斷,LP35118L通過整流管關(guan) 斷電壓閾值,準確地判斷同步整流管的關(guan) 斷時機。關(guan) 斷條件為(wei) :同步整流一旦開通,在比較器屏蔽時間TONMIN內(nei) 不進行關(guan) 斷動作。當開通時間Ton超過TONMIN時間後,即Ton>TONMIN& Vds >VOFF,關(guan) 斷同步。此外,為(wei) 了防止誤開啟同步整流,LP35118L還設置了最小關(guan) 斷時間TOFFMIN。

(四)可調的同步MOS關斷閾值


在LP35118L的設計中,還可以通過在D腳與(yu) MOS管的DRAIN腳之間串聯電阻RD來調節同步MOS關(guan) 斷閾值。芯片內(nei) 部固定有ID=100uA的電流源,在RD上形成壓降,從(cong) 而實現對同步MOS關(guan) 斷閾值的調節。這種設計為(wei) 工程師提供了更大的靈活性,可以根據不同應用場景的需求,精準地調整同步整流管的關(guan) 斷特性,進一步優(you) 化係統性能。

應用領域


憑借其卓越的性能和豐(feng) 富的功能,LP35118L在多個(ge) 領域都有著廣泛的應用。LP35118L典型應用圖如下所示~



充電器和適配器


在智能手機、平板電腦、筆記本電腦等便攜式電子設備的充電器和適配器中,LP35118L能夠顯著提高充電效率,縮短充電時間,同時降低發熱量,提升用戶體(ti) 驗。其高耐壓性能和集成的VCC供電技術,使得充電器和適配器在麵對不同電壓輸入時也能穩定工作,適應各種複雜的使用環境。


正激控製器和反激控製器


對於(yu) 電源管理領域中的正激控製器和反激控製器,LP35118L是理想的同步整流解決(jue) 方案。它能夠與(yu) 控製器緊密配合,實現高效的能量轉換和精確的電壓調節,滿足各種電源設備對效率和穩定性的嚴(yan) 格要求。無論是工業(ye) 自動化設備中的電源模塊,還是數據中心的服務器電源,LP35118L都能發揮出色的表現,助力電源係統實現更高的性能和可靠性。

封裝與PCB設計


LP35118L采用SOT23-6L封裝,這種封裝形式具有體(ti) 積小、散熱性能好、易於(yu) 安裝等優(you) 點,非常適合應用於(yu) 空間受限的電子產(chan) 品中。在進行PCB設計時,需要遵循一些基本的指南,以確保芯片的性能得到充分發揮。例如,主功率回路走線要短粗,避免包圍芯片;DRV與(yu) 功率管柵極的連線以及GND與(yu) 功率管源極的連線都要盡量短,以減少寄生電感和電容的影響;VCC旁路電容要緊靠芯片VCC管腳和GND管腳放置,建議選用容值大於(yu) 2.2uF、耐壓大於(yu) 16V的電容,以提供穩定的電源;D引腳的鋪銅麵積要適當大些,以提高芯片的散熱性能。合理的PCB布局和布線,不僅(jin) 能夠提升係統的效率和穩定性,還能有效降低電磁幹擾,確保整個(ge) 電源係統的可靠運行。

總結


LP35118L作為(wei) 一款高性能副邊同步整流驅動芯片,在同步整流領域展現出了卓越的性能和強大的功能。其高耐壓性能、專(zhuan) 利的整流管開通判定技術、極快的關(guan) 斷速度、集成的VCC供電技術以及豐(feng) 富的保護功能,使其在各種AC-DC同步整流應用中都能夠穩定、高效地工作。無論是充電器、適配器,還是正激控製器、反激控製器,LP35118L都能夠為(wei) 電源係統提供可靠的同步整流解決(jue) 方案,助力電子產(chan) 品實現更高的性能和更低的功耗。隨著電子技術的不斷發展,LP35118L必將在同步整流領域繼續發光發熱,為(wei) 電源設計帶來更多的創新和突破。

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