SLD90N03T是一款由美浦森生產(chan) 的高性能N通道功率MOSFET，廣泛應用於(yu) 電源管理、負載開關(guan) 和脈衝(chong) 寬度調製（PWM）等領域。本文將詳細介紹該器件的關(guan) 鍵參數和引腳布局，幫助工程師更好地理解和應用這一高性能半導體(ti) 器件。

產品概述

SLD90N03T采用先進的TRENCH工藝製造，旨在最小化導通損耗，提供卓越的開關(guan) 性能，並在雪崩和換向模式下承受高能量脈衝(chong) 。其主要特點包括極低的導通電阻（RDS(on)）、快速開關(guan) 能力以及100%雪崩測試，確保器件在各種複雜工況下的可靠性。

關鍵參數

（一）電氣參數

    導通電阻（RDS(on)）

        在VGS = 10V時，RDS(on)典型值為(wei) 3.8mΩ，最大值為(wei) 4.5mΩ。
        在VGS = 4.5V時，RDS(on)典型值為(wei) 5.5mΩ，最大值為(wei) 7.0mΩ。
        低導通電阻意味著在高電流應用中，器件的功耗更低，效率更高。

    擊穿電壓（BVDSS）

        SLD90N03T的漏源擊穿電壓為(wei) 30V，確保在額定電壓下穩定工作，同時為(wei) 過壓情況提供一定的安全裕度。

    漏極電流（ID）

        連續漏極電流在25℃時為(wei) 90A，而在100℃時為(wei) 58A。
        脈衝(chong) 漏極電流可達360A，適用於(yu) 高功率脈衝(chong) 應用。

    柵極電壓（VGSS）

        柵極-源極電壓範圍為(wei) ±20V，確保在不同驅動電壓下穩定工作。

    動態參數

        輸入電容（Ciss）為(wei) 1950pF，輸出電容（Coss）為(wei) 320pF，反向傳(chuan) 輸電容（Crss）為(wei) 240pF。

        開關(guan) 特性包括13ns的開通延遲時間（td(on)）和36ns的開通上升時間（t(on)），以及43ns的關(guan) 斷延遲時間和16ns的關(guan) 斷下降時間。

        總柵極電荷（Qg）為(wei) 42nC，柵源電荷（Qgs）為(wei) 4nC，柵漏電荷（Qgd）為(wei) 14nC。

    雪崩能量（EAS）

        單脈衝(chong) 雪崩能量為(wei) 90mJ，確保器件在過載情況下能夠安全地承受反向恢複能量。

（二）熱參數

    熱阻（RθJC）

        結點至外殼的熱阻為(wei) 1.67℃/W，表明該器件具有良好的散熱性能，能夠在高功率應用中保持較低的結溫。

    工作溫度範圍

        工作和存儲(chu) 溫度範圍為(wei) -55℃至+150℃，適用於(yu) 各種惡劣環境。

（三）封裝與引腳

SLD90N03T采用D-Pak封裝，具有良好的散熱性能和機械穩定性。其引腳布局如下：

引腳     功能
G         柵極（Gate）
S          源極（Source）
D         漏極（Drain）

D-Pak封裝的引腳分布清晰，便於(yu) PCB布局和焊接。其封裝尺寸符合行業(ye) 標準，適用於(yu) 多種應用場景。

典型應用

SLD90N03T的低導通電阻和快速開關(guan) 特性使其在以下應用中表現出色：

    電源管理

        作為(wei) 開關(guan) 元件，用於(yu) DC-DC轉換器、開關(guan) 電源和電源適配器中，提高電源轉換效率。

    負載開關(guan)

        在負載切換過程中，快速開關(guan) 能力可減少開關(guan) 損耗，提高係統穩定性。

    脈衝(chong) 寬度調製（PWM）
        適用於(yu) 電機驅動、逆變器和PWM控製器等應用，提供高效率和高可靠性。

總結

SLD90N03T是一款高性能的N通道功率MOSFET，其低導通電阻、快速開關(guan) 能力和卓越的熱性能使其成為(wei) 電源管理和功率轉換應用的理想選擇。通過了解其關(guan) 鍵參數和引腳布局，工程師可以更好地將其應用於(yu) 各種複雜電路設計中，實現高效、可靠的功率控製。