PSR 集成 BJT 部分，BJT BV, Ipk，SEL 是什麽(me) 參數？ 

答：BJT BV 是指內(nei) 置的 BJT 的最⼤耐壓，在設計時 BJT 的 C 極電壓絕對不能超過這個(ge) 電壓，並且要保留 100V 以上的裕量。

Ipk 是芯⽚每次開通後，控製的原邊的電流的峰值。我們(men) 的合封 BJT 的 PSR 芯⽚，都采⽤固 定峰值電流模式控製，也就是每次原邊電感電流固定。並且會(hui) 控製芯⽚在絕⼤部分條件下都 ⼯作在 DCM 模式，也就是說每個(ge) 周期的能量都會(hui) 傳(chuan) 遞完全。 

有些芯⽚⽐如 LP3716CK 等，Ipk 欄會(hui) 寫(xie) 620/760，這說明該芯⽚的 Ipk 電流是外部可編程設 定的。通常通過 SEL 腳接 GND 或接 VCC 設定。 

SEL：Yes 代表可以通過外部設置 Ipk 值；No 表示 Ipk 值固定為(wei) ⼀個(ge) 值，⽆法外部調整。

PSR 集成 BJT 部分，Self Startup 是什麽(me) 意思？ 

答：是指芯⽚內(nei) 部是否集成了啟動電阻；欄⽬填寫(xie) Yes-8MΩ，就是芯⽚內(nei) 部集成了啟動電 阻，阻值為(wei) 8MΩ。欄⽬寫(xie) No，就是芯⽚內(nei) 部沒有集成啟動電阻，需要客戶外接啟動電阻。外接的啟動電阻通常為(wei) 2 個(ge) 3.6MΩ/0805 或 1206 的。 

PSR 集成 BJT 部分，Dynamic 是什麽(me) 含義(yi) ？ 

答：Dynamic 是動態的意思，就是電源在輸出負載從(cong) 0 到 100%瞬間切換時，輸出電壓的表現。 

寫(xie) Low 的，輸出電壓在 0-100%切換時可能會(hui) 短暫的掉到 3V 以下，甚⾄掉落到 0 然後重啟。 寫(xie) High 的，說明該芯⽚具有⾼動態能⼒，如果能和我司⾼動態同步整流芯⽚配合(就是同步 整流芯⽚ Dynamic 欄⽬中寫(xie) Yes 的)，就能夠實現 0 到 100%負載切換時，輸出電壓在 4V 或 4.2V 以上。通常⾼端客戶都要求⾼動態。 

PSR 集成 BJT 部分，FB 下偏是什麽(me) 意思?

答：FB 下偏就是指芯⽚電壓采樣腳的下偏分壓電阻，寫(xie) 外置說明芯⽚需要外部加下偏電阻。 寫(xie) 12K 或寫(xie) 內(nei) 置，說明芯⽚內(nei) 部有⼀個(ge) 下偏電阻。可以幫客戶節約⼀個(ge) 電阻，成本更低。 內(nei) 置下偏電阻的芯⽚，要按照規格書(shu) 仔細計算輸出電壓、線補才能獲得滿意的效果。 

PSR 集成 BJT 部分，Line-Drop Comp 是什麽(me) 意思？ 

答:是輸出線纜壓降補償(chang) 的意思。 

通常適配器或充電器輸出端都是帶⼀根線材的，⻓度⽐較⻓（1 ⽶~2 ⽶）。電流流過線纜會(hui) 產(chan) ⽣壓降；⽐如電源端⼝ 5V 電壓，經過線纜後可能隻剩下 4.5V 甚⾄更少，設備可能就⽆法 正常⼯作了。

這時候，根據輸出電流的⼤⼩，適當提升電源端⼝的電壓(⽐如提升到 5.5V)；這樣經過線纜 的壓降後，到設備端電壓就始終能夠保持在 5V。 

線纜壓降補償(chang) ，是通過 FB 腳上偏電阻，配合芯⽚內(nei) 部的⼀套電路實現的：當芯⽚檢測到負 載增⼤，則會(hui) 額外從(cong) FB 腳下拉⼀定的電流（這個(ge) 電流的最⼤值就是⼿冊(ce) 中 Line-Drop Comp 欄⽬中的 xx.x uA 的參數）。這個(ge) 下拉的電流在 FB 腳上偏電阻上形成額外的電壓降，使輸出 電壓升⾼。

PSR 集成 BJT 部分，OVP 和 UVP 是什麽(me) 含義(yi) ？ 

答：是輸出過壓保護和輸出⽋壓(短路保護的意思)；當某種失常導致 FB 檢測到的電壓過⾼， 芯⽚就會(hui) ⽴刻保護，形成輸出 OVP。 

當負載過⼤，或者輸出發⽣短路異常，使輸出電壓降得異常得低時，芯⽚就會(hui) 進⼊ UVP 保 護。這兩(liang) 種保護都是⾃動重啟模式。