OB2268/OB2269CP采用獨特的設計方案，使您的電源係統具有較高的性價(jia) 比，滿足廣大客戶的需求。OB2268/OB2269采用傳(chuan) 統的電流模式結構設計，其具有如下特性:

低待機功耗: OB2268/OB2269 通過特別的低功耗間歇工作模式設計不僅(jin) 可以讓整個(ge) 係統在空載的狀態下輕易達到國際能源機構最新的推薦標準，而且允許係統在較輕負載(約1/30 滿載以下)的情況下同樣具有超低耗的性能。

無噪聲工作:使用OB2268/OB2269CP設計的電源無論在空載，輕載和滿載的情況下都不會(hui) 產(chan) 生音頻噪聲。優(you) 化的係統設計可以使係統任何工作狀態下均可安靜地工作。

更低啟動電流: OB2268/OB2269CP  VIN/VDD啟動電流低至4uA,可有效地減少係統啟動電路的損耗，縮短係統的啟動時間。

更低工作電流: OB2268/OB2269的工作電流約為(wei) 2.3mA,可有效降低係統的損耗，提高係統的效率。

內(nei) 置前沿消隱: 內(nei) 置前沿消隱(LEB)，可以為(wei) 係統節省了一個(ge) 外部的R-C網絡，降低係統成本。

內(nei) 置OCP補償(chang) : OB2268/OB2269CP內(nei) 置了OCP補償(chang) 功能，使係統在不需要增加成本的情況下輕易使得全電壓範圍內(nei) 係統的OCP曲線趨向平坦,提高係統的性價(jia) 比。 完善的保護功能: 0B2268/OB2269 集成了較完善的保護功能模塊。OVP, UVLO,OCP，恒定的OPP和外部可調節的OTP功能可以使係統設計簡潔可靠，同時滿足安規的要求。

MOSFET軟驅動:可有效的改善係統的EMI。

較少的外圍器件: OB2268/OB2269CP 外圍比較簡單，可有效提高係統的功率密度,降低係統的成本。

OB2269CP優(you) 良的EMI特性:OB2269內(nei) 置的頻率抖動設計可以很有效的改善係統的EMI特性，同時可以降低係統的EMI成本。