LP35118V 是一款高性能高耐壓的副邊同步整流控 製芯片,適用於(yu) AC-DC的同步整流應用,適用於(yu) 正激係統和反激係統。LP35118V支持DCM和CCM 多種工作模式。
LP35118V 采用專(zhuan) 利的整流管開通判定技術,可以 有效的避免因激磁振蕩引起的驅動芯片誤開通。 LP35118V 具有極快的關(guan) 斷速度,可以大幅度降低 在CCM 工作條件下因關(guan) 斷延遲造成的效率損失。
LP35118V 集成 VCC 供電技術,在不需要輔助繞 組供電的情況下,保證芯片 VCC不會(hui) 欠壓。 LP35118V 采用SOT23-6L 封裝。
產(chan) 品特點:
應用領域:充電器和適配器的同步整流 、正激控製器和反激控製器
典型應用:
管腳封裝:
LP35118V 是一款高性能高耐壓的副邊同步整流 芯 片,適用於(yu) 隔離型的同步整流應用,適用於(yu) 正激 和反激係統,支持DCM和CCM多種工作模式。 LP35118V 采用專(zhuan) 利的整流管開通判定技術,可以 有效的避免因激磁振蕩引起的驅動芯片誤開通。 LP35118V 具有極快的關(guan) 斷速度,可以大幅度降低 在CCM工作條件下因關(guan) 斷延遲造成的效率損失。 LP35118V 集成 VCC 供電技術,在不需要輔助繞 組供電的情況下,保證芯片VCC不會(hui) 欠壓。
啟動
當係統上電後,通過內(nei) 置MOS的體(ti) 二極管對輸出 電容充電,輸出電壓上升。LP35118V通過D腳連 接輸出電壓,當輸出電壓上升時,經過芯片內(nei) 部 供電電路,給VCC電容充電,當VCC的電壓充 到開啟閾值電壓時,芯片內(nei) 部控製電路開始工作, MOS正常的導通和關(guan) 斷。MOS正常的導通時,電 流不再從(cong) 體(ti) 二極管流過,而從(cong) MOS的溝道流過。芯片正常工作時,所需的工作電流仍然會(hui) 通過D 腳,給VCC供電。
同步整流管導通
DCM工作時,由於(yu) 電感的激磁作用,當初級芯片 關(guan) 斷時,會(hui) 產(chan) 生振蕩。為(wei) 了防止誤檢測振蕩信號, 導致同步整流管的異常開啟, LP35118V采用專(zhuan) 利的整流管開通技術。 當初級芯片關(guan) 斷時,次級LP35118V的漏極D與(yu) GND之間的電壓迅速下降。 LP35118V通過檢測 D和GND之間的下降電壓閾值和下降速率,能準 確的判斷同步整流管的開啟。