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PN8366集成超低待機功耗準諧振原邊控製器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700V,PN8366H 800V)，用於(yu) 高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nei) 置電源。PN8366為(wei) 原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內(nei) 置高壓啟動電路，可實現芯片空載損耗（230VAC）小於(yu) 30mW。在恒壓模式，采用準諧振與(yu) 多模式技術提高效率並消除音頻噪聲，使得係統滿足6級能效標準，可調輸出線補償(chang) 功能能使係統獲得較好的負載調整率；在恒流模式，輸出電流和功率可通過CS腳的電阻進行調節。該芯片提供了極為(wei) 全麵的智能保護功能，包含逐周期過流保護、過壓保護、開環保護、過溫保護、輸出短路保護和CS開/短路保護等。
PN8366SSC-R1M產(chan) 品特性
內(nei) 置高雪崩能力智能功率MOSFET(M 700V/H 800V)
內(nei) 置高壓啟動電路，小於(yu) 30mW空載損耗（230VAC）
采用準諧振與(yu) 多模式技術提高效率，滿足6級能效標準
全電壓輸入範圍±5%的CC/CV精度
原邊反饋可省光耦和TL431
恒壓、恒流、輸出線補償(chang) 外部可調
無需額外補償(chang) 電容
無音頻噪聲
智能保護功能 過溫保護 (OTP)
VDD欠壓&過壓保護 (UVLO&OVP)
逐周期過流保護 (OCP)
CS開/短路保護 (CS O/SP）
開環保護 (OLP)
PN8366SSC-R1M應用領域
開關(guan) 電源適配器
電池充電器
機頂盒電源.